為探討電暈放電引起聚酰亞胺(PI)薄膜絕緣老化的原因,利用掃描電鏡(SEM)分別研究了純PI薄膜和PI/Al_2O_3復(fù)合薄膜在電暈放電下老化擊穿的特點(diǎn),并通過(guò)重復(fù)電暈老化擊穿實(shí)驗(yàn)統(tǒng)計(jì)了薄膜擊穿位置出現(xiàn)的規(guī)律。結(jié)果表明:電暈老化擊穿后純PI薄膜和PI/Al_2O_3復(fù)合薄膜均形成了直徑約為20μm的圓形擊穿孔,統(tǒng)計(jì)擊穿孔的位置發(fā)現(xiàn)大多數(shù)擊穿位置集中在特定的圓心區(qū)和邊緣區(qū),只有少數(shù)擊穿發(fā)生在電暈破壞環(huán)上,說(shuō)明電暈放電對(duì)薄膜的破壞并不是引起薄膜最終老化擊穿的主要原因,電暈放電產(chǎn)生大量的熱量在薄膜上積累引發(fā)的熱擊穿導(dǎo)致薄膜最終發(fā)生了熱老化擊穿。
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